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n沟道mos管和p沟道mos管 mos管n沟道和p沟道的区别

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1、场效电晶体的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。

2、凡中、大功率的场效应管，其管脚排列都一样。

3、从门极向漏极扩展的过渡层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。

4、将这种状态称为夹断。

5、这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。

6、好坏测试：由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

7、N沟 ： 指针万用表一个，用R×10K(没有R×10K时用R×1K)档。

8、黑笔接D(散热片的螺孔)，红笔接S，这时电阻为无穷大(指针不动)。

9、用一个手指同时按住左边两个脚，指针大幅向右偏转(偏转越大放大能力越大)。

10、P沟 ：红笔接D(散热片的螺孔)，黑笔接S，这时电阻为无穷大(指针不动)。

11、用一个手指同时按住左边两个脚，指针大幅向右偏转(偏转越大放大能力越大)。

12、重新测试时须将三脚短路一下再测。

13、N沟 ： 指针万用表一个，用R×10K(没有R×10K时用R×1K)档。

14、黑笔接D(散热片的螺孔)，红笔接S，这时电阻为无穷大(指针不动)。

15、用一个手指同时按住左边两个脚，指针大幅向右偏转(偏转越大放大能力越大)。

16、结型场效应管工作的时候PN结是反向偏置的，所以认为G-S ,G-D.之间的电阻都是无穷大，实际上由于工艺的原因是存在漏电电阻的，不过比较大。

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